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IXDN 75N120
E on
40
mJ
30
E on
t d(on)
160
ns
120
t
20
mJ
E off 15
E off
t d(off)
800
ns
600
t
20
t r
80
10
400
V CE = 600V
V CE = 600V
V GE = ±15V
10
V GE = ±15V
40
5
R G = 15
200
R G = 15
T J = 125 ° C
0
T J = 125 ° C
0
0
t f
0
0
50
100
150 A
0
50
100
150 A
I C
Fig. 5 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
I C
Fig. 6 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
E on
25
mJ
20
V CE = 600V
V GE = ±15V
I C = 75A
T J = 125 ° C
t d(on)
E on
200
ns
160
t
E off
25
mJ
20
V CE = 600V
V GE = ±15V
I C = 75A
T J = 125 ° C
t d(off)
2000
ns
1600
t
15
120
15
E off
1200
10
5
t r
80
40
10
5
800
400
0
0
0
t f
0
0
8
16
24
32
40
48
56
0
8
16
24
32
40
48
56
R G
R G
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
Fig.8
Typ. turn off energy and switching
200
A
I CM 150
times versus gate resistor
1
K/W
0.1
Z thJC
0.01
times versus gate resistor
100
R G = 15
T J = 125 ° C
V CEK < V CES
0.001
50
0
0.0001
0.00001
single pulse
IXDN75N120
0
200
400
600
800
1000 1200 V
0.00001 0.0001
0.001
0.01
0.1
s
1
V CE
Fig. 9 Reverse biased safe operating area
RBSOA
? 2000 IXYS All rights reserved
t
Fig. 10 Typ. transient thermal impedance
4-4
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IXDP20N60BD1 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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IXDP610PM 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Analog IC